内部集成等效20mΩ的先进功率MOSFET
超小封装DFN2x2-6L
过温保护OTP
充电过电流保护IIOCC
过放可自恢复功能
三段过流保护
- 放电过流保护1 IIOV1
- 放电过流保护2 IIOV2
- 负载短路保护ISHORT
充电器检测功能
0V 电池充电功能
延迟时间内部设定
防反接功能
高ESD 可靠性能力
高精度电压检测
- 常规精度:±50mV
低静态电流
- 正常工作电流:3.0μA
- 待机电流:1.5uA
兼容ROHS 和无铅标准
文档名称 | 文档描述 | 下载 |
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WSDD18A4Y1N_datasheet_A0 | 251KB |